長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出新一代3D閃存，供應(yīng)鏈：堆疊層數(shù)達(dá)232層！
長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式發(fā)布了基于晶棧3.0（XTACKING3.0）技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070，供應(yīng)鏈消息稱，該新品堆疊層數(shù)已經(jīng)處于國(guó)際第一梯隊(duì)，達(dá)232層。據(jù)悉，X3-9070相較于長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品，擁有更高的存儲(chǔ)密度，更快的I/O速度，并采用6-PLANE設(shè)計(jì)，性能提升的同時(shí)功耗更低，進(jìn)一步釋放系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品潛能。
性能：X3-9070實(shí)現(xiàn)高達(dá)2400MT/S的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升；
密度：得益于晶棧3.0的架構(gòu)創(chuàng)新，X3-9070成為了長(zhǎng)江存儲(chǔ)歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1TB的存儲(chǔ)容量；
提升系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品體驗(yàn)：得益于創(chuàng)新的 6-PLANE設(shè)計(jì)，X3-9070相比傳統(tǒng)4-PLANE，性能提升50%以上，同時(shí)功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來(lái)更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。
另外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹，X3-9070憑借出色的性能、更佳的耐用性以及高質(zhì)量可靠性，通過(guò)了美國(guó)電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)（JEDEC）定義的多項(xiàng)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
按照供應(yīng)鏈信息，此次長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布的新品堆疊層數(shù)已達(dá)到232層，達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)，目前美光公開宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)232層NAND產(chǎn)品，同樣采用6 PLANE TLC技術(shù)，I/O速度可達(dá)2.4GB/S。SK海力士已向客戶發(fā)送了238層 512GB TLC 4D NAND閃存的樣品，并計(jì)劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。
另外，西部數(shù)據(jù)也在之前的產(chǎn)品路線圖預(yù)言，其下一代BICS 7的堆疊層數(shù)預(yù)計(jì)將達(dá)到212層。有消息稱三星或?qū)⒃?022年底或2023年上半年開始量產(chǎn)供應(yīng)224層3D NAND。
成立于2016年的長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅僅用了6年時(shí)間即追趕上了全球領(lǐng)先的技術(shù)水平，究其原因，晶棧（XTACKING）技術(shù)可謂功不可沒(méi)！根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)介紹，晶棧XTACKING 可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，再將兩片晶圓鍵合在一起，此種技術(shù)手段能為閃存產(chǎn)品帶來(lái)了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產(chǎn)品上市周期。
晶棧XTACKING從1.0到3.0技術(shù)迭代助推長(zhǎng)江存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案從消費(fèi)類覆蓋至企業(yè)級(jí)應(yīng)用
截至目前，晶棧XTACKING已經(jīng)實(shí)現(xiàn)從1.0到3.0的迭代發(fā)展，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在三維異構(gòu)集成領(lǐng)域已積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，并基于晶棧技術(shù)成功打造了多款長(zhǎng)江存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品，包括SATA III、PCIE GEN3、GEN4固態(tài)硬盤，以及用于移動(dòng)通信和其他嵌入式應(yīng)用的EMMC、UFS等嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品，獲得了行業(yè)合作伙伴的廣泛好評(píng)。
根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)介紹，其產(chǎn)品在消費(fèi)類市場(chǎng)通過(guò)“致態(tài)”品牌上市發(fā)布，在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的產(chǎn)品類型更是包括了SSD、EMMC和UFS，涵蓋了企業(yè)級(jí)、商用級(jí)和移動(dòng)嵌入式應(yīng)用。
回首2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)96層制程節(jié)點(diǎn)，重磅發(fā)布兩款基于128層堆疊的NAND產(chǎn)品，震驚業(yè)界，追趕上了當(dāng)時(shí)業(yè)界主流廠商的水平。時(shí)隔兩年多，長(zhǎng)江存儲(chǔ)再次實(shí)現(xiàn)制程跳躍，直接進(jìn)擊232層堆疊，在發(fā)布時(shí)程上已經(jīng)領(lǐng)先了部分國(guó)際原廠，發(fā)展速度令人咂舌！
市場(chǎng)消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND的產(chǎn)能占比已經(jīng)超過(guò)五成，如今，其第四代新品雖然僅是發(fā)布狀態(tài)，并未宣布量產(chǎn)時(shí)程，但是相信隨著其制程良率提升以及市場(chǎng)需求變化，其在具體客戶應(yīng)用上的表現(xiàn)也指日可待！
